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　　2026年开年，半导体存储赛道已全面进入“高景气验证期”。一方面，技术迭代与AI算力需求共振：AI服务器带动HBM订单激增，三星、SK海力士全年产能告罄；美光紧急上调资本开支至200亿美元，加速向1βnm以下制程跃进。另一方面，资本市场同步升温：壁仞科技港股上市首日破千亿市值，燧原科技完成IPO辅导，百度昆仑芯递表在即，硬科技资产证券化浪潮势不可挡。

　　在这双重趋势交织的节点，国产DRAM龙头长鑫科技的IPO进程，正从“产业备选项”迈向“格局变量”——其不仅是大陆唯一具备通用型DRAM全流程能力的IDM企业，更以十年完成从技术空白到全球第四的“极限追赶”，成为半导体自主化进程中兼具战略意义与成长确定性的关键落子。

　　追赶之路：“跳代研发”如何炼成全球第四

　　长鑫科技的追赶故事，几乎是一部中国存储芯片产业的“压缩版进化史”。公司自2016年成立以来，仅用约十年时间，便从技术空白一跃成为全球DRAM市场的主要竞争者。根据Omdia数据，2025年第二季度，长鑫在全球DRAM市场的份额已达3.97%，位列中国第一、全球第四。

　　核心追赶密码源于“跳代研发”的战略定力。招股书显示，公司跳过传统迭代路径，直接完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产突破，快速实现产品代际跨越：从DDR4、LPDDR4X全面覆盖至DDR5、LPDDR5/5X等主流规格，形成DRAM晶圆、芯片、模组多元化产品方案，可满足服务器、移动设备、个人电脑等全场景需求。2025年底推出的最新产品更彰显技术硬实力：LPDDR5X速率最高达10667Mbps，较上一代提升66%；首款国产DDR5速率突破8000Mbps，单颗最大容量24Gb，同步落地七大模组产品，性能均跻身国际领先梯队。

　　技术突破同步转化为市场竞争力。随着产能持续爬坡，公司2025年产能利用率稳步提升至94.63%，规模化生产能力持续夯实；客户名单已囊括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、荣耀、OPPO、vivo等行业头部企业，在存储需求爆发、巨头供给收缩的背景下，成为下游厂商缓解“缺货”压力、平抑成本的关键“压舱石”。

　　破局之力：从技术空白到产业链“关键变量”

　　长鑫的快速崛起，不仅是一家企业的成功，更标志着中国在DRAM这一战略高地实现了从无到有、从追赶到并跑的跨越。在巨头林立、技术壁垒高筑的存储领域，长鑫用十年时间走完了他人数十年的路程，其背后是企业自身在技术路线与市场节奏上的精准把握。

　　值得关注的是，DRAM产业链带动效应极强，长鑫科技的IPO不仅是自身跨越式发展的“战略窗口”，更将拉动上下游材料、设备、封测等环节协同升级。招股书显示，长鑫科技拟募资295亿元，在全球存储行业上行周期中，有望进一步放大技术与规模优势。

　　长鑫科技的崛起，标志着全球DRAM竞争从单纯的技术与资本竞赛，进入了叠加产业链安全与多元生态的新维度。它的价值，不仅在于填补了国内空白，更在于为全球市场提供了一个稳定、可预期的“中国选项”。上市后，凭借资本助力，它将成为撬动从技术研发、产能分配到价格体系的全方位变量。一个全新的存储产业格局，序幕已启。

　　（据《朝闻天下》）

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